PMN-PT Substrate
መግለጫ
PMN-PT ክሪስታል እጅግ በጣም ከፍተኛ በሆነ የኤሌክትሮ መካኒካል ትስስር ቅንጅት ፣ ከፍተኛ የፓይዞኤሌክትሪክ ቅንጅት ፣ ከፍተኛ ጫና እና ዝቅተኛ የዲኤሌክትሪክ ኪሳራ ይታወቃል።
ንብረቶች
| የኬሚካል ቅንብር | ( PbMg 0.33 Nb 0.67) 1-x: (PbTiO3) x |
| መዋቅር | R3m, Rhombohedral |
| ላቲስ | a0 ~ 4.024Å |
| መቅለጥ ነጥብ (℃) | 1280 |
| ጥግግት (ግ/ሴሜ3) | 8.1 |
| የፓይዞኤሌክትሪክ Coefficient d33 | > 2000 pC/N |
| የዲኤሌክትሪክ መጥፋት | ታን<0.9 |
| ቅንብር | በሞርፎሮፒክ ደረጃ ድንበር አቅራቢያ |
PMN-PT Substrate ፍቺ
PMN-PT substrate ከፓይዞኤሌክትሪክ ቁሳቁስ PMN-PT የተሰራ ቀጭን ፊልም ወይም ዋፈርን ያመለክታል።ለተለያዩ የኤሌክትሮኒክስ ወይም የኦፕቲካል መሳሪያዎች እንደ ደጋፊ መሰረት ወይም መሰረት ሆኖ ያገለግላል.
በPMN-PT አውድ ውስጥ፣ አንድ ንጣፍ በተለምዶ ቀጭን ሽፋኖች ወይም መዋቅሮች የሚበቅሉበት ወይም የሚቀመጡበት ጠፍጣፋ ጠንካራ ወለል ነው።PMN-PT substrates በተለምዶ እንደ ፓይዞኤሌክትሪክ ሴንሰሮች፣ አንቀሳቃሾች፣ ተርጓሚዎች እና ሃይል ማጨጃዎች ያሉ መሳሪያዎችን ለማምረት ያገለግላሉ።
እነዚህ ንጣፎች ለተጨማሪ ንብርብሮች ወይም አወቃቀሮች እድገት ወይም አቀማመጥ የተረጋጋ መድረክ ይሰጣሉ ፣ ይህም የፒኢዞኤሌክትሪክ ባህሪዎች ወደ መሳሪያዎች እንዲዋሃዱ ያስችላቸዋል።የፒኤምኤን-PT ንጣፎች ቀጭን ፊልም ወይም የዋፈር ቅርጽ ከቁሳዊው ምርጥ የፓይዞኤሌክትሪክ ባህሪያት የሚጠቅሙ ውሱን እና ቀልጣፋ መሳሪያዎችን መፍጠር ይችላል።
ተዛማጅ ምርቶች
ከፍተኛ ጥልፍልፍ ማዛመድ በሁለት የተለያዩ ቁሳቁሶች መካከል ያለውን የጭረት አወቃቀሮችን ማስተካከል ወይም ማዛመድን ያመለክታል.በኤምሲቲ (ሜርኩሪ ካድሚየም ቴልሪድ) ሴሚኮንዳክተሮች አውድ ውስጥ ከፍተኛ ጥራት ያለው ፣ እንከን የለሽ የኤፒታክሲያል ሽፋኖችን ለማደግ ስለሚያስችል ከፍተኛ የላቲስ ማዛመድ ተፈላጊ ነው።
ኤምሲቲ በተለምዶ ኢንፍራሬድ ዳሳሾች እና ኢሜጂንግ መሳሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውል ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው።የመሳሪያውን አፈጻጸም ከፍ ለማድረግ ከታችኛው የንጥረ ነገር (በተለምዶ CdZnTe ወይም GaAs) ከሚገኘው ጥልፍልፍ መዋቅር ጋር የሚዛመዱ ኤምሲቲ ኤፒታክሲያል ንብርብሮችን ማሳደግ አስፈላጊ ነው።
ከፍተኛ ጥልፍልፍ ማዛመድን በማሳካት በንብርብሮች መካከል ያለው ክሪስታል አሰላለፍ ይሻሻላል, እና በመገናኛው ላይ ያሉ ጉድለቶች እና ጫናዎች ይቀንሳል.ይህ ወደ ተሻለ ክሪስታላይን ጥራት፣ የተሻሻሉ ኤሌክትሪካዊ እና ኦፕቲካል ባህሪያት እና የተሻሻለ የመሳሪያ አፈጻጸምን ያመጣል።
ከፍተኛ ጥልፍልፍ ማዛመድ እንደ ኢንፍራሬድ ኢሜጂንግ እና ሴንሲንግ ላሉ መተግበሪያዎች አስፈላጊ ነው፣ ትናንሽ ጉድለቶች ወይም ጉድለቶች እንኳን የመሣሪያውን አፈጻጸም ሊያሳጣው ይችላል፣ ይህም እንደ ስሜታዊነት፣ የቦታ መፍታት እና የምልክት-ወደ-ጫጫታ ጥምርታ።
