Ge substrate
መግለጫ
Ge ነጠላ ክሪስታል ለኢንፍራሬድ እና ለአይሲ ኢንዱስትሪ በጣም ጥሩ ሴሚኮንዳክተር ነው።
ንብረቶች
የእድገት ዘዴ | Czochralski ዘዴ | ||
ክሪስታል መዋቅር | M3 | ||
ዩኒት ሴል ኮንስታንት | a=5.65754 Å | ||
ጥግግት (ግ/ሴሜ3) | 5.323 | ||
መቅለጥ ነጥብ (℃) | 937.4 | ||
ዶፔድ ቁሳቁስ | ዶፔድ የለም። | Sb-doped | በ / ጋ - ዶፔድ |
ዓይነት | / | N | P |
የመቋቋም ችሎታ | 35Ω ሴ.ሜ | 0.05Ω ሴሜ | 0.05 ~ 0.1Ω ሴሜ |
ኢ.ፒ.ዲ | 4×103∕ሴሜ 2 | 4×103∕ሴሜ 2 | 4×103∕ሴሜ 2 |
መጠን | 10x3፣10x5፣10x10፣15x15፣20x15፣20x20፣ | ||
dia2" x 0.33ሚሜ ዳያ2" x 0.43 ሚሜ 15 x 15 ሚሜ | |||
ውፍረት | 0.5 ሚሜ ፣ 1.0 ሚሜ | ||
ማበጠር | ነጠላ ወይም ድርብ | ||
ክሪስታል አቀማመጥ | <100>፣<110>፣<111>፣±0.5º | ||
Ra | ≤5Å (5µm×5µm) |
የ Ge Substrate ፍቺ
የ Ge substrate የሚያመለክተው ከኤለመን germanium (Ge) የተሰራውን ንጣፍ ነው።ጀርመኒየም ለተለያዩ ኤሌክትሮኒክስ እና ኦፕቶኤሌክትሮኒካዊ አፕሊኬሽኖች ተስማሚ የሚያደርግ ልዩ የኤሌክትሮኒክስ ባህሪያት ያለው ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው።
Ge substrates የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማምረት በተለይም በሴሚኮንዳክተር ቴክኖሎጂ መስክ በብዛት ጥቅም ላይ ይውላሉ.እንደ ሲሊከን (ሲ) ያሉ ሌሎች ሴሚኮንዳክተሮችን እና ቀጭን ፊልሞችን እና ኤፒታክሲያል ንብርብሮችን ለማስቀመጥ እንደ መሰረታዊ ቁሳቁሶች ያገለግላሉ።Ge substrates እንደ ባለከፍተኛ ፍጥነት ትራንዚስተሮች፣ የፎቶ ዳሳሾች እና የፀሐይ ህዋሶች ካሉ ልዩ ባህሪያት ጋር ሄትሮስትራክቸሮችን እና ውህድ ሴሚኮንዳክተር ንብርብሮችን ለማምረት ሊያገለግል ይችላል።
ጀርመኒየም በፎቶኒክስ እና በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ ውስጥም ጥቅም ላይ ይውላል ፣እዚያም የኢንፍራሬድ (IR) መመርመሪያዎችን እና ሌንሶችን ለማዳበር እንደ ምትክ ሊያገለግል ይችላል።Ge substrates ለኢንፍራሬድ አፕሊኬሽኖች የሚያስፈልጉ ንብረቶች አሏቸው፣ ለምሳሌ በመካከለኛው ኢንፍራሬድ ክልል ውስጥ ሰፊ የመተላለፊያ ክልል እና በዝቅተኛ የሙቀት መጠን በጣም ጥሩ ሜካኒካል ባህሪያት።
Ge substrates ከሲሊኮን ጋር በቅርበት የተዛመደ የጥልፍ መዋቅር አላቸው፣ ይህም ከሲ-የተመሰረተ ኤሌክትሮኒክስ ጋር ለመዋሃድ ተስማሚ ያደርጋቸዋል።ይህ ተኳኋኝነት የተዳቀሉ አወቃቀሮችን ለማምረት እና የላቀ የኤሌክትሮኒክስ እና የፎቶኒክ መሳሪያዎችን ለመፍጠር ያስችላል።
በማጠቃለያው የጂ ንኡስ ክፍል የሚያመለክተው ከጀርመኒየም የተሰራውን በኤሌክትሮኒካዊ እና ኦፕቶኤሌክትሮኒካዊ አፕሊኬሽኖች ውስጥ የሚያገለግል ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው።በኤሌክትሮኒክስ, ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ እና ፎቶኒክስ ውስጥ የተለያዩ መሳሪያዎችን ለማምረት ያስችላል, ለሌሎች ሴሚኮንዳክተር እቃዎች እድገት መድረክ ሆኖ ያገለግላል.